20W/m·K液态金属导热硅脂
20W/m·K液态金属导热硅脂

20W/m·K液态金属导热硅脂

20W/m·K液态金属导热硅脂
导热系数:20.0 W/m·K
材料形态:膏状液态金属
工作温度:-40℃ ~ 150℃
界面适用:铜、镀镍铜(不可用铝)
可靠性:长期稳定
导热系数:20.0 W/m·K
材料形态:膏状液态金属
工作温度:-40℃ ~ 150℃
界面适用:铜、镀镍铜(不可用铝)
可靠性:长期稳定
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产品介绍
20W/m·K 液态金属导热硅脂采用金属基导热填料体系,导热能力显著高于传统硅脂和普通金属膏体系。材料呈膏状,可在微观界面间充分渗透填隙,显著降低界面热阻,提高散热效率。适用于持续高功率运行设备,如服务器 CPU、GPU、AI 加速芯片与车规级处理器。
液态金属不可与铝材直接接触,建议搭配铜或镀镍铜表面使用。

特点优势
20W/m·K 超高导热性能
应对极端热流密度,满足高性能计算平台需求。

界面极低热阻
液态金属结构网络形成高效热通道。

稳定膏状,不泵出、不干裂
高温长期工作下保持结构稳定。

适配多类型封装器件
支持裸片、BGA、功率模块等高热通量结构。

施工工艺灵活
支持点胶、丝印、刮涂,可用于自动化生产。

高温可靠性强
在高温与热循环条件下保持稳定导热性能。

禁止接触铝材
液态金属与铝反应会产生腐蚀,需使用铜或镀镍表面。
应用方式
界面清洁:清除油污、灰尘、颗粒。

确认材料兼容性:仅用于铜/镀镍铜等金属界面,避免铝接触。

选择施工方式:点胶、刮涂或丝印。

均匀涂布:控制厚度,覆盖所有界面区域。

组件压合:通过散热器施加合适压力,促进材料铺展。

热稳定过程:设备工作温度下自动填隙并形成导热通道。

可靠性验证:热循环、功率老化、温升等测试。
应用领域
高性能计算(HPC / AI):CPU / GPU、AI 加速卡、推理与训练服务器、边缘计算设备
数据中心与通信设备:服务器散热模块、高功率光模块、通信基带处理器
汽车电子(非动力电池):ADAS 主控、车载计算平台(域控制器)、车规 MCU / SoC 热界面
工业与电源电子:IGBT 模块、工业控制器、高频功率模块
高热流密度消费电子设备:电竞主机、高性能笔记本、高功率充电器与适配器
产品物性表
项目 单位 测试值 测试标准
导热系数 W/m.k >20 ASTM D5470
电导率 S/m 3X106 ASTM D257
颜色 - 亮银色 目视
形态 - 膏状 -
密度 g/cc 4.5 ASTM D1475
粘度 mPa·s 8000 DHR-2
挥发率 % 0.001 125℃/24H
工作温度 -40~600 NFION Test Method
腐蚀性 - 铝腐蚀 -
规格资料宣传册
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    发布日期 点击下载
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